Regione Toscana

Transistori ad effetto di campo con canale bidimensionale realizzato con eterostrutture laterali basate su grafene ibridizzato

La presente invenzione è un transistor a effetto di campo con un canale bidimensionale costituito da un sottile foglio di uno o più strati atomici di eterostrutture laterali basate su grafene ibridato.

2021-09-29T14:50:41+00:0029 Settembre 2021|

Metodo di localizzazione di un elemento emettitore di un segnale elettromagnetico

L'invenzione tratta di un metodo di localizzazione che trova applicazione nella localizzazione di tag RFID-UHF in moto relativo rispetto al reader RFID-UHF. Il metodo può essere applicato per localizzare tag in movimento oppure fissi, ma anche per localizzare reader mobili [...]

2021-06-18T10:17:30+00:0018 Giugno 2021|